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电荷的注入和传输可以实现无缝衔接，天津提升由此导致的接触电阻也将最大限度降低。电科电站电源图1.单分子层单晶的X射线反射和截面TEM研究。
如果电荷注入界面与电荷传输界面的距离能够缩短，院攻甚至消除，将能大幅降低接触电阻，提升器件的表观迁移率和综合电学表现。此外，直流质量基于单分子层单晶的晶体管，还表现出高达500的本征增益，以及高达4.2μA/μm的电流密度。研究发现，蓄电传统热蒸镀电极导致的热损伤，蓄电足以破坏单分子层半导体的结构，反而造成了更大的电荷注入壁垒，也是造成单分子层晶体器件性能劣化的主要因素。
单分子层单晶半导体在二维传输方向上具备高度有序的结构，国网关变具有理论上的最薄厚度。更重要的是，天津提升单分子层单晶的本征迁移率与同种材料的厚层晶体一致。
该工作发现有机半导体的单分子层单晶是理想的晶体管活性层材料，电科电站电源兼具高迁移率和低接触电阻的特性。
香港大学机械工程系陈国樑教授团队，院攻最近在降低有机场效应晶体管接触电阻（Rc）方面的研究工作取得了突破性进展。2023年前三季度智慧显示终端收入境内市场同比增长11.06%，直流质量境外市场同比增长25.55%。
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